石墨烯因其超薄結構以及優異的物理特性,在FET應用上展現出了優異的性能和誘人的應用前景.如Obradovic等研究發現，與碳納米管相比，石墨烯FET擁有更低的工作電壓﹔Wang等所制備的柵寬10nm以下的石墨烯帶FET的開關比達10E7﹔Wu等采用熱蒸發4H-SiC外延生長的石墨烯制備的FET，其電子和空穴遷移率分別為5400和4400cm2/(V·s)，比傳統半導體材料如SiC和Si高很多﹔Lin等制備出柵長為350nm的高性能石墨烯FET，其載流子遷移率為2700cm2/(V·s)，截止頻率為50GHz，并在后續研究中進一步提高到100GHz﹔Liao等所制備的石墨烯FET的跨導達3.2mS/μm，并獲得了迄今為止最高的截止頻率300GHz，遠遠超過了相同柵長的Si-FET(~40GHz)。然而,由于石墨烯的本征能隙為零，并且在費米能級處其電導率不會像一般半導體一樣降為零，而是達到一個最小值，這對于制造晶體管是致命的，為石墨烯始終處于“開”的狀態。

另外，帶隙為零意味著無法制作邏輯電路，這成為石墨烯應用于晶體管等器件中的主要困難和挑戰。因此,如何實現石墨烯能帶的開啟與調控，亟待研究和解決。據文獻報道，一般采用兩種方法實現石墨烯能帶的開啟與調控，即﹕摻雜改性和形貌調控。NatureNanotechnology評論明確指出﹕要深入挖掘石墨烯的優異物理特性，以制備高性能石墨烯FET，其重要基礎和關鍵之一是獲得寬度與厚度(即層數)可控的高質量石墨烯帶狀結構。帶狀石墨烯因其固有而獨特的狹長“扶椅”或“之”狀邊緣結構效應、量子限域效應而具有豐富的能帶結構，其能隙隨著石墨烯的寬度減小而增大，且和石墨烯的厚度密切相關，成為石墨烯FET溝道材料的理想選擇。納米碳材料，特別是石墨烯具有極其優異的電學、光學、磁學、熱學和力學性能，是理想的納電子和光電子材料。石墨烯具有特殊的幾何結構，使得費米面附近的電子態主要為擴展π態。由于沒有表面懸掛鍵，表面和納米碳結構的缺陷對擴展π態的散射幾乎不太影響電子在這些材料中的傳輸，室溫下電子和空穴在石墨烯中均具有極高的本征遷移率(大于100000cm2/(V·s))，超出最好的半導體材料(典型的硅場效應晶體管的電子遷移率為1000cm2/(V·s))。

作為電子材料，石墨烯可以通過控制其結構得到金屬和半導體性管。在小偏壓的情況下，電子的能量不足以激發石墨烯中的光學聲子，但與石墨烯中的聲學聲子的相互作用又很弱，其平均自由程可長達數微米，使得載流子在典型的幾百納米長的石墨烯器件中呈現完美的彈道輸運特征。典型的金屬性石墨烯中電子的費米速度為υF=8×10e5m/s，室溫電阻率為ρ=10E6Ω-cm，性能優于最好的金屬導體，例如其電導率超過銅。由于石墨烯結構中的C–C鍵是自然界中最強的化學鍵之一，不但具有極佳的導電性能，其熱導率也遠超已知的最好的熱導體，達到6000W/mK。此外石墨烯結構沒有金屬中的那種可以導致原子運動的低能缺陷或位錯，因而可以承受超過10e9A/cm2的電流，遠遠超過集成電路中銅互連線所能承受的10e6A/cm2的上限，是理想的納米尺度的導電材料。理論分析表明，基于石墨烯結構的電子器件可以有非常好的高頻響應，對于彈道輸運的晶體管其工作頻率有望超過THz,性能優于所有已知的半導體材料。

現代信息技術的基石是集成電路芯片，而構成集成電路芯片的器件中約90%是源于硅基CMOS（complementarymetal-oxide-semiconductor)，互補金屬-氧化物-半導體)技術，而硅基CMOS技術的發展在2005年國際半導體技術路線圖(InternationalTechnologyRoadmapforSemiconductors,ITRS)宣布將在2020年達到其性能極限。原因在CMOS技術的核心是高性能電子(n-)型和空穴(p-)型場效應晶體管(fieldeffecttransistor,FET)的制備，以及將這兩種互補的場效應晶體管集成的技術。隨著晶體管尺度的縮小，器件加工的均勻性問題變得越來越嚴重，其中最為重要的是器件的加工精度和摻雜均勻性的問題。采用傳統的微電子加工技術，目前最好的加工精度約為5nm。隨著器件尺度的不斷縮小，對應的晶體管通道的物理長度僅為十幾納米，場效應晶體管源漏電極之間的載流子通道的長度的不確定性將不再可以忽略不計，所以半導體材料中的摻雜均勻性問題將是另一個難以克服的問題。

這個領域的主流方向一直是沿用硅基技術的思路，即通過摻雜，例如K摻雜來制備石墨烯n型器件，但結果都不盡如人意。其中主要的問題是石墨烯具有一個非常完美的結構，表面完全沒有懸掛鍵，一般不和雜質原子成鍵，是自然的本征材料。采用與石墨烯結合較弱的K原子摻雜結果一是不穩定，二是很難控制，不大可能滿足高性能集成電路的要求。2005年美國Intel公司Chau等人對納米電子學的發展狀況進行了總結,他們對石墨烯基器件的主要結論是:雖然其p型晶體管的性能遠優于相應的硅基器件,但其n型石墨烯晶體管的性能則遠遜于相同尺寸的硅基器件。集成電路的發展要求性能匹配的p型和n型晶體管，n型碳石墨烯晶體管性能的落后嚴重制約了石墨烯電子學的發展,發展穩定的高性能n型石墨烯器件成了2005年之后石墨烯CMOS電路研究領域最重要的課題之一。

從目前石墨烯電子學已經取得的進展來看，至少有兩個重要的方面是可以確認的。第一是石墨烯器件相對于硅基器件來說具有更好的特性，無論是速度、功耗還是可縮減性，而且可以被推進到8nm甚至5nm技術節點，這正是2020年之后數字電路的目標。第二是石墨烯的數字集成電路的方案是可行的。在實驗室人們已經實現各種功能的電路，原則上已經可以制備任意復雜的集成電路，特別是2013年9月26日美國斯坦福大學的研究人員在《Natures》雜志上報道采用碳納米管制造出由178個晶體管組成的計算機原型。

雖然目(mu)(mu)前這個(ge)原型機尚在功(gong)耗、速度(du)方面(mian)(mian)不(bu)能和(he)基(ji)(ji)(ji)(ji)于硅(gui)芯(xin)(xin)片(pian)模(mo)(mo)式的(de)(de)(de)先(xian)進(jin)計算機比肩(jian)，但這項工(gong)作在國(guo)際上引(yin)起了(le)巨大反響,使得人(ren)們看到了(le)碳基(ji)(ji)(ji)(ji)電子學時代(dai)初(chu)露的(de)(de)(de)曙(shu)光。IBM發表的(de)(de)(de)系統計算表明，石(shi)(shi)墨(mo)烯(xi)(xi)基(ji)(ji)(ji)(ji)的(de)(de)(de)芯(xin)(xin)片(pian)不(bu)論在性能和(he)功(gong)耗方面(mian)(mian)都將比硅(gui)基(ji)(ji)(ji)(ji)芯(xin)(xin)片(pian)有大幅改善。例如，從硅(gui)基(ji)(ji)(ji)(ji)7nm到5nm技術(shu)，芯(xin)(xin)片(pian)速度(du)大約有20%的(de)(de)(de)增加。但石(shi)(shi)墨(mo)烯(xi)(xi)7nm技術(shu)較(jiao)硅(gui)基(ji)(ji)(ji)(ji)7nm技術(shu)速度(du)的(de)(de)(de)提高高達300%，相當(dang)15代(dai)硅(gui)基(ji)(ji)(ji)(ji)技術(shu)的(de)(de)(de)改善。目(mu)(mu)前石(shi)(shi)墨(mo)烯(xi)(xi)材料的(de)(de)(de)主要挑戰來源于規模(mo)(mo)生產面(mian)(mian)臨的(de)(de)(de)高可(ke)控性材料加工(gong)問(wen)題，即(ji)必須在絕緣襯底(di)上定(ding)位生長出所需管徑大小的(de)(de)(de)半導體石(shi)(shi)墨(mo)烯(xi)(xi)。但是(shi)(shi)到目(mu)(mu)前為止，對石(shi)(shi)墨(mo)烯(xi)(xi)生長進(jin)行嚴格的(de)(de)(de)控制(zhi)還是(shi)(shi)沒(mei)有實現。另一(yi)個(ge)問(wen)題是(shi)(shi)供應(ying)鏈的(de)(de)(de)問(wen)題，硅(gui)的(de)(de)(de)成本(ben)及穩定(ding)性的(de)(de)(de)優勢還在，芯(xin)(xin)片(pian)廠及封裝廠誰愿意開第一(yi)槍，就(jiu)讓我們拭目(mu)(mu)以待。